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現貨HORIBA堀場等離子發射監測器EV2.0 STD 在半導體制造工藝中，等離子體技術被廣泛應用于各種制造工藝中，包括薄膜沉積和蝕刻。 該等離子體發射監測儀可用于廣泛的應用，從各種等離子體室的研發到生產線，例如工藝終點檢測、狀態管理和等離子體診斷。

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原裝HORIBA堀場等離子發射控制器RU-1000 使用反應濺射將觸摸面板和玻璃基板的薄膜沉積在基材上。反應性濺射是在真空中使濺射粒子與氧或氮發生化學反應來成膜的方法，但定量供給反應氣體的方法會減慢成膜速度，難以實用化。然而，已知存在一種不穩定的過渡模式，其中沉積速率在沉積速率快??的反應模式和金屬模式之間變化很大，并且可以通過基于等離子體控制反應氣體來維持過渡區域排放強度。

北崎HORIBA堀場MU-3000多組分氣體混合裝置 根據生成的氣體成分配備質量流量控制器，可以通過簡單的操作生成混合氣體。 我們的產品陣容涵蓋從 2 種成分到最多 6 種成分的氣體混合物。 控制軟件具有程序操作功能、氣體濃度設定功能等，是適合各種研究開發用途的氣體發生系統。

日本供應HORIBA堀場氣體混合裝置MU-2200 混合氣體發生器：MU系列配備高性能質量流量控制器，均勻混合生成兩種或多種氣體。操作面板上采用觸摸屏，通過輸入混合氣體濃度和流量，生成任意濃度的混合氣體。

原裝現貨HORIBA堀場IR-300氣體濃度監測儀 用于鼓泡供應管線的在線氣體濃度監測器。用于原料氣體的穩定供應。 MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）廣泛應用于LED制造工藝和光學器件制造工藝中。該 MOCVD 設備采用液體/固體材料，通常使用鼓泡方法將其作為汽化氣體輸送到腔室。